gh МЕДАЛИ ЛОМОНОСОВА - ЗА ДИСЛОКАЦИИ

Академика Юрия Андреевича Осипьяна наградили за фундаментальный вклад в физику дислокаций в твердых телах и открытие фотопластического эффекта. Выступая после награждения перед собравшимися в РАН, ученый назвал теорию дислокаций одним из величайших достижений физики прошлого века. "Дислокации сначала были придуманы. Это была теория, которая просуществовала всю первую половину ХХ века умозрительно. В 1956 году усилиями Питера Хирша удалось экспериментально напрямую наблюдать дислокации кристаллов. Но в свое время ее даже называли лженаукой. Я решил заняться изучением взаимодействия дислокаций с электронами, чтобы узнать, как они влияют на свойства кристалла", - рассказывает Осипьян.

Фактически ученым было создано новое направление - так называемая дислокационная физика твердого тела. Экспериментальное обнаружение нового физического явления - фотопластического эффекта в проводниках, принесло ему мировую известность. Научные интересы бывшего вице-президента РАН, а ныне ее советника, связаны с разными областями современного материаловедения: это фазовые превращения и физика дислокаций, электрические, магнитные и оптические свойства кристаллов, сверхпроводимость, физика фуллеренов и наноуглеродных материалов, прочность и пластичность твердых тел, космическое материаловедение.

Много усилий затратил Юрий Андреевич на становление Института физики твердого тела РАН в Черноголовке, одного из крупнейших научных учреждений в России, где проводятся исследования в области физики конденсированного состояния и физического материаловедения.

Сэр Питер Хирш, английский физик, получил медаль Ломоносова за выдающийся вклад в физику прочности и пластичности твердых тел и экспериментальное открытие движения дислокаций в них. Живой классик науки, по словам Осипьяна, выступая перед коллегами, продемонстрировал тонкую проволочку из кристаллов кадмия. Растянув ее в ленточку, ученый наглядно оказал, что такое дислокации кристаллов. Профессор Оксфордского университета первым провел эксперименты, наблюдая за распространением и структурой динамики дислокаций в кристаллах, и дал их количественное объяснение. Ровно пятьдесят лет тому назад он использовал просвечивающую электронную микроскопию высокого разрешения для изучения дислокаций, что позволило правильно описывать упругие пластические свойства материалов на уровне атомов.

***